삼성전자가 경기 평택캠퍼스에 10조원을 투자해 극자외선(EUV) 기반 최첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 라인을 구축한다. 오는 2030년까지 글로벌 시스템반도체 시장 1위에 오른다는 ‘반도체 비전 2030’ 달성을 위해 승부수를 던진 것으로 풀이된다. ★관련기사 4면, 본지 5월15일자 13면 참조

삼성전자는 이달 평택캠퍼스 2공장(P2)에 EUV 공정 기반의 파운드리 라인 공사에 착수했으며 내년 하반기부터 본격 가동할 예정이라고 21일 밝혔다. 이재용 삼성전자 부회장은 이번 투자와 관련해 “어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 강조했다. 특히 이번 투자는 최근 반도체를 둘러싼 미중 갈등 재점화로 업계의 불확실성이 커진 가운데 이뤄져 관심을 끈다.

삼성전자는 지난해 4월 ‘반도체 비전 2030’을 발표한 뒤 메모리반도체에 이어 시스템반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부전략을 실행하고 있다. 올 2월 화성캠퍼스에 EUV 전용 ‘V1’ 라인을 가동한 데 이어 평택에 두 번째 EUV 파운드리 라인을 구축해 모바일·고성능컴퓨팅(HPC)·인공지능(AI) 등 다양한 분야에서 초미세 공정 기술의 경쟁력을 강화하고 있다.

삼성전자는 지난 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 제품 양산을 시작한 후 지난해 하반기 6나노 양산을 거쳐 올 하반기 5나노 양산을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올 하반기 화성에서 먼저 양산한 뒤 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다. 화성 V1 라인에 이어 내년 하반기 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세공정 기반 제품의 생산규모가 가파르게 늘 것으로 전망된다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산규모를 확대해 EUV 기반 초미세시장 수요 증가에 적극 대응해나갈 것”이라며 “전략적 투자와 지속적인 인력채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나가겠다”고 밝혔다.

삼성전자가 경기 평택캠퍼스에 10조원을 투자해 극자외선(EUV) 기반 최첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 라인을 구축한다. 오는 2030년까지 글로벌 시스템반도체 시장 1위에 오른다는 ‘반도체 비전 2030’ 달성을 위해 승부수를 던진 것으로 풀이된다.

삼성전자는 이달 평택캠퍼스 2공장(P2)에 EUV 공정 기반의 파운드리 라인 공사에 착수했으며 내년 하반기부터 본격 가동할 예정이라고 21일 밝혔다. 이재용 삼성전자 부회장은 이번 투자와 관련해 “어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 강조했다. 특히 이번 투자는 최근 반도체를 둘러싼 미중 갈등 재점화로 업계의 불확실성이 커진 가운데 이뤄져 관심을 끈다.

삼성전자는 지난해 4월 ‘반도체 비전 2030’을 발표한 뒤 메모리반도체에 이어 시스템반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부전략을 실행하고 있다. 올 2월 화성캠퍼스에 EUV 전용 ‘V1’ 라인을 가동한 데 이어 평택에 두 번째 EUV 파운드리 라인을 구축해 모바일·고성능컴퓨팅(HPC)·인공지능(AI) 등 다양한 분야에서 초미세 공정 기술의 경쟁력을 강화하고 있다.

삼성전자는 지난 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 제품 양산을 시작한 후 지난해 하반기 6나노 양산을 거쳐 올 하반기 5나노 양산을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올 하반기 화성에서 먼저 양산한 뒤 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다. 화성 V1 라인에 이어 내년 하반기 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세공정 기반 제품의 생산규모가 가파르게 늘 것으로 전망된다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산규모를 확대해 EUV 기반 초미세시장 수요 증가에 적극 대응해나갈 것”이라며 “전략적 투자와 지속적인 인력채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나가겠다”고 밝혔다.